性别

男

出生日期

1973.8

最高学历、学位

研究生/博士

职称

教授（二级）

职 务

纳米光电材料与微结构研究中心主任

电子邮箱

liubo@mail.usts.edu.cn

个人简介

一、基本情况：

2003年博士毕业于中国科学院上海光学精密机械研究所，2005年中国科学院上海微系统与信息技术研究所微电子学与固体电子学专业博士后出站，2005-2017年在中国科学院上海微系统与信息技术研究所工作，2017年至今在苏州科技大学工作。

博士研究生导师，国家973（纳米重大科学研究计划）项目首席科学家，九三学社苏州科技大学基层委员会副主委。获得江苏省双创人才（高校创新类）、江苏省第五期“333高层次人才培养工程”第二层次培养对象（中青年领军人才）、中国科学院青年创新促进会会员、首届中国科学院卢嘉锡青年人才奖、上海市青年科技启明星跟踪等荣誉。担任中国物理学会固体缺陷委员会委员、中国电子学会终身高级会员、中国光学学会终身高级会员等。

二、主要研究领域及学术成就：

主要研究方向是纳米光电材料与器件（信息存储和传感器材料与器件）。负责过国家纳米重大科学研究计划（973）项目、国家863计划目标导向类项目等科研项目28项，参加过国家集成电路重大专项、国家纳米重大科学研究计划、国家863、国家973等科研项目36项。已发表期刊论文380篇（SCI论文292篇），H因子为36；授权中国发明专利132项、美国发明专利5项；参与《Data Storage at the Nanoscale: Advances and Applications》、《中国材料工程大典》、《光子学技术与应用》、《相变存储器》和《大辞海》等五部著作的编写工作；荣获上海市技术发明二等奖、首届上海市知识产权创新奖专利商标二等奖、中国电子学会技术发明三等奖等科技奖励。

三、代表性科研成果：

代表性科研项目：

[1].高密光盘金属氧化物记录材料开发合作项目（TC20230321027），华为技术有限公司，2023.4 -2024.12，159.65万，主持

[2].干法显影及高透明氧化物材料研究技术合作项目（TC20210706027），华为技术有限公司，2021.7-2022.7，100.34万，主持

[3].江苏省第五期“333高层次人才培养工程”第二层次培养对象资助科研项目，Cr掺杂SbTe光电混合存储材料及其超快相变机理研究，2021.1-2022.12，30万，主持

[4].江苏省双创人才资助项目，新型相变材料及其在存算一体化芯片中的应用，2020.9-2023.8，50万，主持

[5].国家纳米重大科学研究计划（973）项目，“相变存储器规模制造技术关键基础问题研究”（2010CB934300），2010.1-2014.8，2912万，项目首席科学家，主持

论著：

[1].Data Storage at the Nanoscale: Advances and Applications (Editor: Fuxi Gan and Yang Wang),Chapter 11-Phase Change Random Access Memory, Pan Stanford Publishing Pte. Ltd., 2015.1, Singapore: 463-589

[2].《大辞海·材料科学卷》（夏征农、陈至立主编，郭景坤等编），“信息功能材料”，“信息储存材料”，上海辞书出版社，2014.12，上海：563-577

[3].《相变存储器》（宋志棠著），第2章“Ge₂Sb₂Te₅相变材料及其改性”，第1-3节，科学出版社，2010.2，北京：22-45

[4].《光子学技术与应用》（刘颂豪院士主编），第13编“光存储技术”（干福熹院士主编），第二章“光盘存储技术”，第六节“相变可擦重写型光盘”，广东科技出版社、安徽科技出版社，2006.9，广州、合肥：1265-1273

[5].《中国材料工程大典》（路甬祥院士主编），第12卷“信息功能材料工程”（中）（王占国院士、陈立泉院士和屠海令主编），第8篇“存储材料”，第14章“非易失性存储材料”，化学工业出版社，2006.3，北京：269-272

代表性授权专利：

[1].刘波、宋志棠、封松林。一种相变存储单元及其制作方法，专利号：ZL 201510177956.3，申请日期：2015-4-15，授权公告日：2017-4-19

[2].刘波、宋志棠。包含三明治型电极的相变存储结构及其制备方法，专利号：ZL 201310370885.X，申请日期：2013-8-22，授权公告日：2016-7-6

[3].刘波、宋志棠、封松林。一种光电混合存储的相变存储器结构及其制备方法，专利号：ZL 201310534339.5，申请日期：2013-10-31，授权公告日：2016-6-1

[4].刘波、宋志棠。三明治型刀片状电极的相变存储结构及其制备方法，专利号：ZL 201310370735.9，申请日期：2013-8-22，授权公告日：2016-3-9

[5].刘波、宋志棠、张挺、李莹、钟旻、封松林。相变存储单元及其制作方法，专利号：ZL201110020727.2，申请日期：2011-1-18，授权公告日：2014-7-2

代表性论文：

[1].Chuantao Xuan, Tao Wei*, Qianchen Liu, Lihao Sun, Jing Hu, Qianqian Liu, Miao Cheng, Ruirui Wang, Wanfei Li,Yun Ling,Bo Liu*. N-doped Sb₄Te thin film: An excellent ultrafast optoelectronic hybrid phase change memory material,Optics and Laser Technology, 2025,184: 112491

[2].Lihao Sun, Tao Wei*, Chuantao Xuan, Qianchen Liu, Jing Hu, Qianqian Liu, Miao Cheng, Ruirui Wang, Wanfei Li,Bo Liu*. Enhanced operation speed and thermal stability of 150 nm-thick SbTe film by Y doping for optoelectronic hybrid phase-change memory,ACS Applied Nano Materials, 2025,8(3): 1377-1385

[3].Wenxi Zhang, Jing Hu*, Diancheng Zhu, Linyan Gu, Miao Cheng, Tao Wei, Qianqian Liu, Ruirui Wang, Wanfei Li, Yun Ling,Bo Liu*. In-situ electrochemical deposition of PPy-Ce₂Sn₂O₇for highly sensitive detection of NH₃ and humidity at room temperature,Talanta, 2025,288: 127752

[4].Zhiwei Li, Tao Wei*, Lihao Sun, Jing Hu, Miao Cheng, Qianqian Liu, Ruirui Wang,Yun Ling,Wanfei Li,Bo Liu*. High-resolution multilevel reversible color printing based on Sb₂S₃phase change material,Photonics Research, 2025,13(3): 661-670

[5].Ben Wu, Tao Wei^*, Qianchen Liu, Yan Cheng, Yonghui Zheng, Ruirui Wang, Qianqian Liu, Miao Cheng, Wanfei Li, Jing Hu, Yun Ling, andBo Liu*.Ultrafast SET/RESET operation for optoelectronic hybrid phase-change memory device cells based on Ge₂Sb₂Te₅ material using partial crystallization strategy,Applied Physics Letters, 2023,123(19): 191110

[6].Ben Wu, Tao Wei*, Jing Hu, Ruirui Wang, Qianqian Liu, Miao Cheng, Wanfei Li, Yun Ling, andBo Liu*.Thermal stability and high speed for optoelectronic hybrid phase-change memory based on Cr doped Ge₂Sb₂Te₅thin film,Ceramics International, 2023,49(23): 37837-37848

[7].Jing Hu*, Cong Lin, Yan Cheng, Yonghui Zheng, Tao Wei, Wanfei Li, Yun Ling, Qianqian Liu, Miao Cheng, Ruirui Wang, Sannian Song, Zhitang Song, Yinghui Wei,Bo Liu*.Co-doping: An effective strategy for developing stable and high-speed Sb₂Te-based phase-change memory,Applied Physics Letters,2023,122(22): 222108

[8].Peihuan Xu, Tao Wei*, Jing Hu, Miao Cheng, Wanfei Li, Qianqian Liu, Yun Ling, Yonghui Zheng, Yan Cheng, andBo Liu*. GeTe/CrSb₂Te superlattice-like thin film for excellent thermal stability and high phase-change speed,Journal of Alloys and Compounds, 2023,942: 169073

[9].Jing Hu, Cong Lin, Liyu Peng, Tao Wei, Wanfei Li, Yun Ling, Qianqian Liu, Miao Cheng, Sannian Song, Zhitang Song, Jian Zhou, Yan Cheng, Yonghui Zheng, Zhimei Sun*,Bo Liu*. Cr-doped Sb₂Te materials promising for high performance phase-change random access memory, Journal of Alloys and Compounds, 2022,908: 164593

[10].Bo Liu*, Tao Wei, Jing Hu, Wanfei Li, Yun Ling, Qianqian Liu, Miao Cheng, and Zhitang Song. Universal memory based on phase change materials: from phase change random access memory to optoelectronic hybrid storage,Chinese Physics B, 2021,30(5): 058504