近日，我校电子与信息工程学院孙云飞教授带领的团队与中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏文明研究员团队和苏州大学廖良生教授团队合作在纳米科技领域顶刊“Advanced Functional Materials”（影响因子：19，SCI一区Top）发表了题为“High Aspect Ratio Reflective Metallic Barriers for High-Efficiency Quantum-Dot Color Conversion in Micro-LED Displays”的研究论文。其中研究生付超伟为第一作者，孙云飞教授为通讯作者，电子与信息工程学院为第一完成单位。

图1：高开口率反射性挡墙结构与光学性能

      量子点颜色转换技术因其优异的发光可调性、高色纯度以及与蓝光Micro-LED的无缝集成能力，被视为下一代微型显示器的关键路径。然而，传统量子点颜色转换技术长期受限于像素bank的高光吸收特性，导致严重的光学损失，进而限制了显示亮度与能效。针对这一难题，本论文提出了一种新型工艺架构，通过引入“压印-电镀”制备全金属反射性bank，并针对电镀粗糙，开口率及材料光学性能不足的问题引入了电化学抛光和镀银，最终成功制备出2540 ppi、超过60 %开口率以及约10 µm的bank高度，其光滑且高深宽比的侧壁显著增强了光学限制效果，反射率接近80 %，是目前已报道的高分辨率反射型bank中的最高水平。得益于增强的色转换能力，量子点膜层的发射强度提升了四倍以上及其色域纯度的提升，验证了能量转换效率的大幅改善。这一技术路径为高效全彩Micro-LED显示器提供了一条可规模化的解决方案，有望推动下一代增强现实和虚拟现实系统的发展。